Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 47.8918 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD80R2K7C3AATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD80R2K7C3AATMA1
Popis	MOSFET N-CH TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,7Ohm při 1,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	290 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	42W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA (DPAK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD80R2