Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
IPD80R1K4CEBTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:
Parametrický ekvivalent
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
IPD80R1K4CEBTMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11 |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Ukončeno ve společnosti Digi-Key | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,4Ohm při 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,9V při 240µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 570 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 63W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO252-3-11 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
0 Skladem
Česká republika