IPD80R1K4CEBTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 2 486
Jednotková cena : 47,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 37,80000 Kč
Katalogový list
N-kanál 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD80R1K4CEBTMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPD80R1K4CEBTMA1
Popis
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
3,9V při 240µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
23 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
570 pF @ 100 V
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Rozptylový výkon (Max)
63W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3-11
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 2,3A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPD80R1K4CEATMA1Infineon Technologies2 486IPD80R1K4CEATMA1CT-ND47,25000 KčDirect
STD5N60M2STMicroelectronics0497-14982-1-ND37,80000 KčSimilar
Skladem: 0
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.