


IPD80R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPD80R1K4CEATMA1 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPD80R1K4CEATMA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Není určeno pro nové konstrukce | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,4Ohm při 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,9V při 240µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 570 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 63W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO252-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 41,58000 Kč | 41,58 Kč |
| 10 | 26,39400 Kč | 263,94 Kč |
| 100 | 17,72860 Kč | 1 772,86 Kč |
| 500 | 14,01238 Kč | 7 006,19 Kč |
| 1 000 | 12,81697 Kč | 12 816,97 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 10,16144 Kč | 25 403,60 Kč |
| 5 000 | 9,51734 Kč | 47 586,70 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 41,58000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 50,31180 Kč |








