IPD80R1K0CEBTMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPD80R1K0CEBTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Direct

Infineon Technologies

Skladem : 4 234

Jednotková cena : 23,58000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 10 947

Jednotková cena : 26,48000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD80R1K0CEBTMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD80R1K0CEBTMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 31 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 785 pF @ 100 V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Rozptylový výkon (Max) 83W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,7A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPD80R
Rds zap (max) při Id, Vgs 950mOhm při 3,6A, 10V