Name: IPD70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 88.9229 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD70N10S312ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD70N10S312ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD70N10S312ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD70N10S312ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 65 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4355 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 70A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 11,1mOhm při 70A, 10V	Základní číslo produktu IPD70
Vgs(th) (max) při Id 4V při 83µA