Name: IPD65R400CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R400CEAUMA1TR-ND
Price: 37.6068 CZK
Availability: InStock

IPD65R400CEAUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD65R400CEAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD65R400CEAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD65R400CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD65R400CEAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 15,1A (Tc) 118W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD65R400CEAUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	400mOhm při 3,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 320µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	710 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	118W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD65R400

Jednotková cena bez DPH:	31,08000 Kč
Jednotková cena s DPH:	37,60680 Kč

IPD65R400CEAUMA1