Name: IPD60R3K4CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R3K4CEAUMA1TR-ND
Price: 18.5493 CZK
Availability: InStock

IPD60R3K4CEAUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD60R3K4CEAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD60R3K4CEAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD60R3K4CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R3K4CEAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 2,6A (Tc) 29W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R3K4CEAUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CE
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,4Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	93 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	29W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60R

Jednotková cena bez DPH:	15,33000 Kč
Jednotková cena s DPH:	18,54930 Kč

IPD60R3K4CEAUMA1