Name: IPD60R380P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R380P6ATMA1TR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD60R380P6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60R380P6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60R380P6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60R380P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R380P6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 10,6A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R380P6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 320µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 19 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P6	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 877 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 83W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10,6A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPD60R
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 3,8A, 10V