IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD50R1K4CEAUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD50R1K4CEAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 3,1A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD50R1K4CEAUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 70µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.2 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 178 pF @ 100 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 42W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 500 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,1A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 13V	Základní číslo produktu IPD50R1
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,4Ohm při 900mA, 13V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 950

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)