Name: IPD50N06S2L13ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N06S2L13ATMA2TR-ND
Price: 62.5086 CZK
Availability: InStock

IPD50N06S2L13ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPD50N06S2L13ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD50N06S2L13ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD50N06S2L13ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD50N06S2L13ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD50N06S2L13ATMA2 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,7mOhm při 34A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 80µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-11
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD50

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	13,13416 Kč	32 835,40 Kč
5 000	12,83767 Kč	64 188,35 Kč

Jednotková cena bez DPH:	51,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:	62,50860 Kč

IPD50N06S2L13ATMA2