Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 62.0004 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD35N12S3L24ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD35N12S3L24ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 39 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2700 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 71W (Tc)
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 35A, 10V	Základní číslo produktu IPD35N12
Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 39µA