Name: IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND
Price: 69.6476 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD35N10S3L26ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD35N10S3L26ATMA2
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD35N10S3L26ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 39 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2700 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 71W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 35A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 39µA