Name: IPD30N03S4L14ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N03S4L14ATMA1TR-ND
Price: 27.467 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPD30N03S4L14ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD30N03S4L14ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD30N03S4L14ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD30N03S4L14ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD30N03S4L14ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,6mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 10µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	980 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	31W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-11
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD30N03

Jednotková cena bez DPH:	22,70000 Kč
Jednotková cena s DPH:	27,46700 Kč

IPD30N03S4L14ATMA1