IPD30N03S2L10ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 4 397
Jednotková cena : 49,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,36000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 103
Jednotková cena : 42,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 30A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD30N03S2L10ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPD30N03S2L10ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 30A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
42 nC @ 10 V
Mfr
Vgs (max)
±20V
Řada
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1200 pF @ 25 V
Balení
Páska a cívka (TR)
Rozptylový výkon (Max)
100W (Tc)
Stav součásti
Zastaralé
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET
Třída
Automobilový průmysl
Technologie
Kvalifikace
AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3-11
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
10mOhm při 30A, 10V
Základní číslo produktu
Vgs(th) (max) při Id
2V při 50µA
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPD50N03S2L06ATMA1Infineon Technologies4 397IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND49,98000 KčMFR Recommended
DMN3010LK3-13Diodes Incorporated031-DMN3010LK3-13CT-ND24,36000 KčSimilar
FDD8876onsemi103FDD8876CT-ND42,00000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.