Name: IPD25N06S4L30ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25N06S4L30ATMA2TR-ND
Price: 36.0822 CZK
Availability: InStock

IPD25N06S4L30ATMA2
Číslo produktu DigiKey	IPD25N06S4L30ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD25N06S4L30ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD25N06S4L30ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD25N06S4L30ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD25N06S4L30ATMA2 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 8µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1220 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	29W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-11
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD25N06

Jednotková cena bez DPH:	29,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	36,08220 Kč

IPD25N06S4L30ATMA2