IPD180N10N3GBTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 4 903
Jednotková cena : 38,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 176
Jednotková cena : 53,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 14 000
Jednotková cena : 51,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 9,10725 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 13 886
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 801
Jednotková cena : 82,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 34,44000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 414
Jednotková cena : 44,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 319
Jednotková cena : 54,59000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 403
Jednotková cena : 55,64000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD180N10N3GBTMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPD180N10N3GBTMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 33µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
25 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1800 pF @ 50 V
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Rozptylový výkon (Max)
71W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
18mOhm při 33A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (10)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPD180N10N3GATMA1Infineon Technologies4 903IPD180N10N3GATMA1CT-ND38,01000 KčDirect
IRFR3710ZTRLPBFInfineon Technologies3 176IRFR3710ZTRLPBFCT-ND53,54000 KčSimilar
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies14 000IRFR3710ZTRPBFCT-ND51,45000 KčSimilar
AOD2910Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD2910-ND9,10725 KčSimilar
FDD86102LZonsemi13 886FDD86102LZFSCT-ND50,40000 KčSimilar
Skladem: 0
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.