Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 55.902 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD11DP10NMATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD11DP10NMATMA1
Popis	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD11DP10NMATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1,7mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 74 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3200 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,4A (Ta), 22A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPD11D
Rds zap (max) při Id, Vgs 111mOhm při 18A, 10V