Name: IPD031N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD031N03LGATMA1TR-ND
Price: 43.7052 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD031N03LGATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD031N03LGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD031N03LGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD031N03LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD031N03LGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD031N03LGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 51 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5300 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 94W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 90A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IPD031
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,1mOhm při 30A, 10V