N-kanál 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-33
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-33
PG-TDSON-8-33
Infineon OptiMOS™-5 40 V MOSFETs in SS08 | Digi-Key Daily

IPC50N04S55R8ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPC50N04S55R8ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-33
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPC50N04S55R8ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,8mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,4V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1090 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
42W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-33
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
IPC50N
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 7 174
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
126,52000 Kč26,52 Kč
1016,65100 Kč166,51 Kč
10010,98180 Kč1 098,18 Kč
5008,54546 Kč4 272,73 Kč
1 0007,76092 Kč7 760,92 Kč
2 0007,12406 Kč14 248,12 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0006,19531 Kč30 976,55 Kč
10 0005,82033 Kč58 203,30 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:26,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:32,08920 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

81,67000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

135,35000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
IPC50N04S5L5R5ATMA1

IPC50N04S5L5R5ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Infineon Technologies

27,79000 Kč
IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32

Infineon Technologies

24,00000 Kč
ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1

40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

Infineon Technologies

26,31000 Kč
BSZ063N04LS6ATMA1

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON

Infineon Technologies

15,37000 Kč
IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

27,15000 Kč
IAUC120N04S6L008ATMA1

IAUC120N04S6L008ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33

Infineon Technologies

62,52000 Kč
IPZ40N04S5L7R4ATMA1

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Infineon Technologies

24,00000 Kč
IPZ40N04S5L4R8ATMA1

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Infineon Technologies

26,73000 Kč