Name: IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND
Price: 123.2264 CZK
Availability: InStock

N-kanál 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3-10

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPBE65R230CFD7AATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPBE65R230CFD7AATMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPBE65R230CFD7AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada CoolMOS™ CFD7A	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1044 pF @ 400 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 63W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-3-10
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívody + výstupek), TO-263CB
Rds zap (max) při Id, Vgs 230mOhm při 5,2A, 10V	Základní číslo produktu IPBE65
Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 260µA