Name: IPB80R290C3AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND
Price: 157.663 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80R290C3AATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB80R290C3AATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB80R290C3AATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB80R290C3AATMA2
Popis	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	290mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2300 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB80R