Name: IPB80R290C3AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND
Price: 168.2021 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80R290C3AATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB80R290C3AATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB80R290C3AATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB80R290C3AATMA2
Popis	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 117 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada CoolMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2300 pF @ 100 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 227W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 290mOhm při 11A, 10V	Základní číslo produktu IPB80R
Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 1mA