IPB80N08S2L07ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 1 956
Jednotková cena : 1,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 400
Jednotková cena : 3,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 627
Jednotková cena : 3,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 351
Jednotková cena : 1,81000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 312
Jednotková cena : 3,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 1 376
Jednotková cena : 2,61000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 308
Jednotková cena : 3,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,23293 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 085
Jednotková cena : 4,08000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 617
Jednotková cena : 4,09000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 385
Jednotková cena : 3,48000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,84360 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 812
Jednotková cena : 2,69000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 257
Jednotková cena : 2,06000 Kč
Katalogový list
N-kanál 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N08S2L07ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB80N08S2L07ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB80N08S2L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB80N08S2L07ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB80N08S2L07ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,8mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.