Name: IPB80N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND
Price: 46.3793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N06S407ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB80N06S407ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB80N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB80N06S407ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB80N06S407ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	79W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB80N