IPB80N06S405ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 186
Jednotková cena : 54,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 096
Jednotková cena : 70,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 674
Jednotková cena : 54,52000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 6 646
Jednotková cena : 91,78000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 385
Jednotková cena : 84,83000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 338
Jednotková cena : 170,93000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 352
Jednotková cena : 162,09000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 80,10297 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 3 148
Jednotková cena : 77,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 21,60966 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 8 539
Jednotková cena : 60,20000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 843
Jednotková cena : 117,67000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N06S405ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB80N06S405ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB80N06S405ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,4mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 60µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.