Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 116.1116 CZK
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 842

Jednotková cena : 125,57000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N06S2H5ATMA2
Číslo produktu DigiKey	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB80N06S2H5ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB80N06S2H5ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 155 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4400 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 55 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,2mOhm při 80A, 10V	Základní číslo produktu IPB80N
Vgs(th) (max) při Id 4V při 230µA