Name: IPB80N04S404ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N04S404ATMA1TR-ND
Price: 63.0168 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N04S404ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB80N04S404ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB80N04S404ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB80N04S404ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB80N04S404ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 43 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3440 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Rozptylový výkon (Max) 71W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,2mOhm při 80A, 10V	Základní číslo produktu IPB80N04
Vgs(th) (max) při Id 4V při 35µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 826

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)