Name: IPB70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 100.6115 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB70N10S312ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB70N10S312ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB70N10S312ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB70N10S312ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 66 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4355 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 70A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 11,3mOhm při 70A, 10V	Základní číslo produktu IPB70N10
Vgs(th) (max) při Id 4V při 83µA