Name: IPB70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 93.1458 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB70N10S312ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB70N10S312ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB70N10S312ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB70N10S312ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	70A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,3mOhm při 70A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 83µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4355 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB70N10