Name: IPB65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND
Price: 83.6836 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB65R190CFD7AATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB65R190CFD7AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB65R190CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R190CFD7AATMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB65R190CFD7AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 6,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 320µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1291 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	77W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB65R190