IPB65R150CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 1 047
Jednotková cena : 90,29000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 800
Jednotková cena : 110,87000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 651
Jednotková cena : 157,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,63563 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 105,83000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 45,40818 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 589
Jednotková cena : 102,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 55,90718 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 416
Jednotková cena : 138,80000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 820
Jednotková cena : 89,45000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 688
Jednotková cena : 149,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 915
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,45784 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 60
Jednotková cena : 100,58000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R150CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB65R150CFDATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
150mOhm při 9,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 900µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2340 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
195,3W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.