IPB65R150CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 1 047
Jednotková cena : 112,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 800
Jednotková cena : 118,64000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 651
Jednotková cena : 174,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 44,91598 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 105,83000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 55,94287 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 44
Jednotková cena : 109,19000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 68,87764 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 416
Jednotková cena : 148,67000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 809
Jednotková cena : 95,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 688
Jednotková cena : 160,42000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 905
Jednotková cena : 58,79000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,38010 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 060
Jednotková cena : 107,51000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R150CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB65R150CFDATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 900µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2340 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
195,3W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
150mOhm při 9,3A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (15)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPB65R150CFDATMA2Infineon Technologies1 047448-IPB65R150CFDATMA2CT-ND112,76000 KčParametrický ekvivalent
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND118,64000 KčSimilar
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND174,70000 KčSimilar
SIHB22N60AE-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60AE-GE3-ND44,91598 KčSimilar
SIHB22N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60E-GE3-ND105,83000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.