IPB65R110CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 1 213
Jednotková cena : 159,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 651
Jednotková cena : 174,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 57,74450 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 905
Jednotková cena : 58,79000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 041
Jednotková cena : 156,65000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,38010 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 248,20000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 060
Jednotková cena : 107,51000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 350
Jednotková cena : 148,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 170,29000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R110CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB65R110CFDATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R110CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 1,3mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
118 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3240 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
277,8W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 12,7A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (10)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPB65R110CFDATMA2Infineon Technologies1 213448-IPB65R110CFDATMA2CT-ND159,79000 KčParametrický ekvivalent
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND174,70000 KčSimilar
SIHB33N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB33N60ET5-GE3-ND57,74450 KčSimilar
STB28N60M2STMicroelectronics1 905497-14972-1-ND58,79000 KčSimilar
STB30N65M5STMicroelectronics1 041497-10563-1-ND156,65000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.