IPB65R110CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 1 219
Jednotková cena : 127,67000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 651
Jednotková cena : 157,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 57,74450 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 915
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 143
Jednotková cena : 146,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,45784 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 770
Jednotková cena : 231,82000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 60
Jednotková cena : 100,58000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 500
Jednotková cena : 138,59000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 159,16000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R110CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB65R110CFDATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R110CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 12,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 1,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3240 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
277,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.