Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 204.7804 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB65R110CFDAATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R110CFDAATMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 118 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada CoolMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3240 pF @ 100 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 277,8W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31,2A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 110mOhm při 12,7A, 10V	Základní číslo produktu IPB65R110
Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 1,3mA