Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
IPB65R099C6ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
IPB65R099C6ATMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPB65R099C6ATMA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Ukončeno ve společnosti DigiKey | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 99mOhm při 12,8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,5V při 1,2mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 127 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2780 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 278W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO263-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
0 Skladem
Česká republika