Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



IPB65R099C6ATMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPB65R099C6ATMA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 1,2mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 127 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2780 pF @ 100 V |
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey | Rozptylový výkon (Max) 278W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 12,8A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET5-GE3-ND | 57,74450 Kč | Similar |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | 1 041 | 497-10563-1-ND | 156,65000 Kč | Similar |
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 350 | 497-13085-1-ND | 148,25000 Kč | Similar |
| STB35N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-10565-1-ND | 170,29000 Kč | Similar |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 769 | 497-13086-1-ND | 156,44000 Kč | Similar |




