IPB65R095C7ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 1 216
Jednotková cena : 131,87000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 2 138
Jednotková cena : 162,31000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R095C7ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R095C7ATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R095C7ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 590µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2140 pF @ 400 V
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Rozptylový výkon (Max)
128W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
95mOhm při 11,8A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPB60R080P7ATMA1Infineon Technologies1 216IPB60R080P7ATMA1CT-ND131,87000 KčDirect
IPB65R095C7ATMA2Infineon Technologies2 138IPB65R095C7ATMA2CT-ND162,31000 KčDirect
Skladem: 0
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.