IPB65R095C7ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 1 516
Jednotková cena : 105,41000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 2 216
Jednotková cena : 129,98000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R095C7ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R095C7ATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R095C7ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
95mOhm při 11,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 590µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2140 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
128W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.