Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 249.865 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB65R045C7ATMA2
Číslo produktu DigiKey	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R045C7ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB65R045C7ATMA2 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	45mOhm při 24,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1,25mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4340 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB65R045

Jednotková cena bez DPH:	206,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:	249,86500 Kč

IPB65R045C7ATMA2