Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 287.8711 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB65R045C7ATMA2
Číslo produktu DigiKey	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R045C7ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB65R045C7ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1,25mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 93 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4340 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 227W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 46A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPB65R045
Rds zap (max) při Id, Vgs 45mOhm při 24,9A, 10V