Name: IPB60R190C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R190C6ATMA1TR-ND
Price: 86.2004 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB60R190C6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB60R190C6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB60R190C6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB60R190C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R190C6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R190C6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 9,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 630µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	151W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R190