Name: IPB60R099CPAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND
Price: 201.7312 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB60R099CPAATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB60R099CPAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R099CPAATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R099CPAATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CP
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	105mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2800 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	255W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R099