Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C7ATMA1TR-ND
Price: 156.5135 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB60R099C7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB60R099C7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB60R099C7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB60R099C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R099C7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R099C7ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 490µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1819 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 110W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPB60R099
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 9,7A, 10V