N-kanál 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R060P7ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB60R060P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB60R060P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB60R060P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB60R060P7ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB60R060P7ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolMOS™ P7
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
48A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
60mOhm při 15,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 800µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2895 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
164W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB60R060
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 10 852
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1126,47000 Kč126,47 Kč
1084,46700 Kč844,67 Kč
10060,60280 Kč6 060,28 Kč
50053,59708 Kč26 798,54 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00043,78856 Kč43 788,56 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:126,47000 Kč
Jednotková cena s DPH:153,02870 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
9 Položky
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

13,35000 Kč
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,07000 Kč
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

15,19000 Kč
1ED3123MC12HXUMA1

1ED3123MC12HXUMA1

DIGITAL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

53,59000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
1ED3124MU12FXUMA1

1ED3124MU12FXUMA1

DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

47,63000 Kč
1ED3125MU12FXUMA1

1ED3125MU12FXUMA1

DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

43,53000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

59,75000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
5 Položky
FDN337N

FDN337N

MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3

onsemi

17,25000 Kč
IPB60R040CFD7ATMA1

IPB60R040CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3

Infineon Technologies

169,18000 Kč
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK

Infineon Technologies

110,46000 Kč
IPA60R060P7XKSA1

IPA60R060P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220

Infineon Technologies

111,49000 Kč
FCB070N65S3

FCB070N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

onsemi

154,81000 Kč