Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 61.6737 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB35N10S3L26ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB35N10S3L26ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	26,3mOhm při 35A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 39µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2700 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	71W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB35N10