Name: IPB180P04P4L02ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND
Price: 131.3576 CZK
Availability: InStock

P-kanál 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB180P04P4L02ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB180P04P4L02ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB180P04P4L02ATMA2
Popis	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB180P04P4L02ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 286 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) +5V, -16V
Řada OptiMOS™ P2	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 18700 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 150W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,4mOhm při 100A, 10V	Základní číslo produktu IPB180
Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 410µA