Name: IPB180P04P403ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND
Price: 106.4679 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB180P04P403ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB180P04P403ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB180P04P403ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB180P04P403ATMA2
Popis	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB180P04P403ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ P2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,8mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 410µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	17640 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-3
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB180