Name: IPB180N10S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N10S402ATMA1TR-ND
Price: 168.2021 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB180N10S402ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB180N10S402ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB180N10S402ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB180N10S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB180N10S402ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB180N10S402ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 200 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14600 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,5mOhm při 100A, 10V	Základní číslo produktu IPB180
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 275µA