Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND
Price: 117.4184 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB180N06S4H1ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB180N06S4H1ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	21900 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB180