IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB120N08S404ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB120N08S404ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB120N08S404ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB120N08S404ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB120N08S404ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 120A (Tc) 179W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB120N08S404ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 95 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6450 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 179W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,1mOhm při 100A, 10V	Základní číslo produktu IPB120
Vgs(th) (max) při Id 4V při 120µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IAUS165N08S5N029ATMA1	Infineon Technologies	1 425	IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND	106,99000 Kč	MFR Recommended
SQM120N10-3M8_GE3	Vishay Siliconix	0	SQM120N10-3M8_GE3CT-ND	106,78000 Kč	Similar