Name: IPB110P06LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB110P06LMATMA1TR-ND
Price: 139.5493 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB110P06LMATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB110P06LMATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB110P06LMATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB110P06LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB110P06LMATMA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB110P06LMATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 5,55mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 281 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8500 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IPB110
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 100A, 10V