Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 202.4935 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB110N20N3LFATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB110N20N3LFATMA1
Popis	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB110N20N3LFATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 260µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 76 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 3	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 650 pF @ 100 V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 88A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPB110
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 88A, 10V