Name: IPB108N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3GATMA1TR-ND
Price: 144.0868 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB108N15N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB108N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB108N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB108N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB108N15N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB108N15N3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 160µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 55 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3230 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 214W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 83A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu IPB108
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,8mOhm při 83A, 10V