Name: IPB108N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3GATMA1TR-ND
Price: 104.1689 CZK
Availability: InStock

IPB108N15N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB108N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB108N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB108N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB108N15N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB108N15N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	83A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,8mOhm při 83A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 160µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3230 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB108

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	30,37193 Kč	30 371,93 Kč
2 000	29,37883 Kč	58 757,66 Kč

Jednotková cena bez DPH:	86,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	104,16890 Kč

IPB108N15N3GATMA1