Name: IPB031N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB031N08N5ATMA1TR-ND
Price: 97.5502 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB031N08N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB031N08N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB031N08N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB031N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB031N08N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 120A (Tc) 167W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB031N08N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,1mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 108µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6240 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	167W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB031

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	27,32985 Kč	27 329,85 Kč
2 000	26,92422 Kč	53 848,44 Kč

Jednotková cena bez DPH:	80,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:	97,55020 Kč

IPB031N08N5ATMA1