Name: IPB025N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N08N3GATMA1TR-ND
Price: 139.8276 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB025N08N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB025N08N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB025N08N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB025N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB025N08N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB025N08N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,5mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14200 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB025

Jednotková cena bez DPH:	115,56000 Kč
Jednotková cena s DPH:	139,82760 Kč

IPB025N08N3GATMA1